單晶少子壽命測試儀 型號：MHY-14351

單晶少子壽命測試儀半導體材料的少數載子壽命測量，是半導體的常規測試項目之。本儀器靈敏度較，配備有紅外光源，可測量包括集成電路硅單晶在內的各種類型硅單晶，以及經熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。
根據際通用方法頻光電導衰退法的原理，由穩壓電源、頻源、檢波放大器，制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五份組成。采用印刷電路和頻接插連接。整機結構緊湊、測量數據可靠。  
術  標 ：  

測試單晶電阻率范圍  >2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍  5μS～7000μS
配備光源類型  波長：1.09μm；余輝<1 μS；
閃光頻率為：20～30次／秒；
閃光頻率為：20～30次／秒；
頻振蕩源  用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器  放大倍數約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復誤差  <±20％
測量方式  采用對標準曲線讀數方式
儀器消耗率<25W
儀器作條件  溫度： 10-35℃、 濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測單晶尺寸  斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；
縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器  頻寬0—20MHz；
電壓靈敏：10mV／cm；